随着Nexperia持续履行对可持续发展和对负责任企业公民的承诺,公司将矢志不移地致力于促进实现积极的环....
这些新器件进一步扩充了Nexperia丰富的GaN FET产品系列,适合各种功率转换的应用。产品组合包括支持高....
Nexperia的另一项创新在于,用于热插拔的新型ASFET完整标示了25°C和125°C下的SOA特性。数据手册中提供....
PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压,为敏感系统的保护提....
Nexperia推出新的超低钳位和超低电容ESD保护二极管系列产品组合,包括PESD5V0C1BLS-Q和PESD5V0C1ULS-Q....
2022年7月27日,Nexperia宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET。
2022年7月6日,基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出采用超小DFN封装的新系列20 V和30 ....
在LFPAK封装中采用新型SOA(安全工作区) Trench技术,可提供出色的瞬态线性模式性能,为设计人员带来....
符合SD 3.0标准要求的电平转换器,集成了自动方向控制、EMI滤波器和IEC 61000-4-2 ESD保护特性
Nexperia(安世半导体)今天隆重宣布 - 庆祝公司作为独立实体进入半导体行业五周年。Nexperia仍是一个....
TrEOS保护二极管采用非常紧凑、非常可靠的DSN0603-2 (SOD962)封装。这种广泛使用的0603外形尺寸能够带....
2020年2月25日,Nexperia宣布与知名汽车工程咨询公司Ricardo合作,以研制基于氮化镓(GaN)技术的EV逆变器....
2018年3月6日下午,由Nexperia安世半导体(中国)有限公司主办的Nexperia标准器件行业峰会与安世半导体....
国广东,2018 年 3 月 6 日:Nexperia(安世半导体)今天宣布安世半导体(中国)有限公司着力扩建的广东新分....