10月25日，2019第十四届“中国芯”集成电路产业促进大会暨 “中国芯”优秀产品征集结果发布仪式成功举办。本次大会由中国电子信息产业发展研究院（赛迪研究院）、青岛高新技术产业开发区管委会、中国半导体行业协会共同主办。
2019第十四届“中国芯”集成电路产业促进大会——存储产业发展高峰论坛于10月26日在青岛顺利召开。论坛由中国电子信息产业发展研究院、北京航空航天大学微电子学院、中国存储器产业联盟共同主办，由北京航空航天大学微电子学院执行副院长赵巍胜教授主持。研讨会以“我国存储器路在何方？”为主题，邀请了相关存储企业及研究机构代表分别介绍了存储产业的产业及技术进展情况，探讨了产业未来的发展方向。来自企业、高校、研究机构的代表约100余人参加了会议。
华为资深产品经理，新介质实验室负责人李挺分享了他个人对存储系统的应用和创新的理解，核心要点如下：
1、 新型存储器应用具有高度不确定性，商业成熟期长，独立式使能困难的特点。
2、 新介质发展遵循从嵌入式到独立式的路径，随介质性能迭代扩展应用。
3、 目前STT-MRAM和PCM进展较快，成为业界主流投资方向，FeFET研究加速。
4、 只有CPU和Memory联合，才能催熟新StandaloneSCM生态，纯Memory 公司无法突破SCM生态壁垒。以增加总体内存带宽为导向的设计，是SCM使能及商业变现的关键。
5、 E2E Spec align有助于消除不确定性，各界面定制性优化，避免技术弯路，导向商业成功。
北京矽成半导体李鹤副总裁做了《嵌入式闪存应用及未来发展》的报告，核心要点如下：
1、 汽车对存储器的核心要求是高质量，高可靠性，长寿命，这与消费电子完全不同，需要9001、14001、AEC-Q100、16949、26262等资质和认证体系。除此之外，企业还需要能够提供长期的产品供货和支持。
2、 汽车、工业及IoT应用的嵌入式存储除了需要技术要求外，还需要考虑和现有的数字电路设计的集成难易程度以及嵌入设计中的成本，甚至还需要满足各项车规级要求。
3、 北京矽成已在新型存储器MRAM方面进行布局。在汽车上应用，MRAM既要满足车规对品质的要求，还要满足对数据写入次数、数据保存时间等要求。长期看，MRAM具有应对车用电子系统对存储芯片更高要求的潜力，是新型存储的发展方向之一。
深圳佰维存储科技股份有限公司首席执行官何瀚做了《从芯到端 产业共赢》的报告，核心要点如下：
1、 未来对存储的需求将分为云和端。云的市场相对来说使用环境标准化，追求规模性和性能；端的市场特点是终端需求广泛，产品多种多样。
2、 端的需求是组合性的，而且更多是细碎化的。相对于云，端的开发首先要求市场反应速度，其次是开发周期要短，同时要满足更多的特性。
3、 佰维存储通过产品开发、生产、封装测试，建立渠道和品牌，服务整个市场，通过企业在市场中获得的价值，反哺整个产业链，实现大家的共赢。
杭州华澜微副总裁周斌做了《基于MRAM介质的创新SSD架构》的报告，核心要点如下：
1、 MRAM具有更高的读写带宽、读写速度和更低的延迟，但是在成本、温度、行业标准方面还有需要解决的问题。
2、 MRAM可以很好的解决NVMe SSD在突然断电情况下的产品失效问题。
3、 华澜微已经将MRAM应用于SSD，通过测试发现，在突然掉电情况下，依然产品稳定可靠。在写数据方面，MRAM比DRAM更有优势，读取数据方面，MRAM作为缓存比flash快很多。
4、 没有最合适的产品，只有最合适的环境和生态。企业的产品只有找到那个对应的规模最大的环境跟生态，才可以实现最大的规模化。
得一微电子总经理吴大畏做了《中国存储控制芯片如何从跟随到引领》的报告，核心要点如下：
1、 存储控制芯片产业存在马太定律，即越领先越快支持新介质，越容易获得市场；NFL定律，即问题分散，主控公司容易在局部领先，很难全面超越；反摩尔定律，即存储主控公司如果今天和18个月前卖掉同样多的、同样的产品，它的营业额就要降一半。
2、 存储控制芯片发展是一场耐力赛，没有弯道超车的机会，因为发展路线清晰。但是有可能换道超车。
3、 在存储控制芯片领域选择跟随这种策略是一个很务实的选择，因为其产业已经基本完成了整合。跟随的意思是存量替代，减少了市场风险，但是注定艰难。
4、 实现引领的快慢与对生态系统整体成熟依赖度正相关。实现引领快的领域，是非技术因素更可发挥作用的领域；实现慢的，往往是非技术因素难以主导的领域。
澜起科技有限公司市场部总监王立伟做了《内存缓冲技术的历史沿革与展望》的报告，核心要点有：
1、 内存缓冲产品的特点有：一是接口、时钟等多种技术集于一身，有任何短板都不行；二是产品对质量和可靠性的要求高；三是产品迭代快，并且不断迭代。
2、 推动内存缓冲产品需要大量的时间投入、标准化组织的推动、以及全产业链的合作。
3、 内存缓存未来的技术方向，一是复杂模组DDR5，然后是更高的速率、更大的容量。服务器等级的内存容量、内存速度，可能会在不远的将来某个时间点应用到边缘计算。
中科院微电子所的罗庆博士介绍了阻变存储器的进展，核心要点如下：
1、 阻变式存储器当前主要应用方向仍然是嵌入式，具有集成密度、速度以及成本上的优势。独立式应用方面，高密度集成是最大的优势，在三维集成上符合3Dxpoint和3DNAND架构。当前的难点在于高制作成本（逻辑工艺基础上需要额外的6-10次光刻）以及器件可靠性问题。
2、 阻变式存储器在存储驱动的计算方面具有优势，包括基于阻变的逻辑，模拟计算，以及仿生类脑计算三种架构。总的来说，存储驱动运算有两个时期，近期主要是存储器的优化，作为一个改进型的方案。另外一个则是革命性的，完全把存储和计算融在一起。
3、 阻变存储器是六十年代被发现的，一直发展到现在，我们在目前来说正在开发嵌入式的RRAM，明年可能会有一些产品，近未来会面向独立应用RRAM进行开发，在更远的未来，也许RRAM可以做一个革命性的改变。
