3月18日消息，据国外媒体报道，三星电子日前公告称，该公司开始大规模量产512GB eUFS 3.1芯片，适用于旗舰智能手机。
和之前的eUFS 3.0芯片相比，新款芯片的连续读取速度（Sequential Read）虽然还是2100MB/s，但其连续写入（Sequential Write）和随机读取速度（Random Read）分别是原来的3倍（1.2GB/s）和1.6倍（100,000 IOPS）。
eUFS为embedded Universal Flash Storage的简称，即嵌入式通用闪存。
三星表示，8K视频、高清图片将能被快速地保存入手机，无需缓冲。
除了512GB的eUFS 3.1芯片以外，三星表示，还讲推出256GB和128GB的版本。
