6月20日，由长江存储实施的国家存储器基地项目二期（土建）在武汉东湖高新区开工。湖北省委书记、省人大常委会主任应勇宣布项目（土建）开工。湖北省委副书记、省长王晓东致辞。紫光集团、长江存储董事长赵伟国介绍了项目有关情况。

长江存储国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂，规划总产能30万片/月，总占地面积1968亩。

长江存储一期工程于2016年年底开工，目前进展顺利。2019年9月，长江存储发布64层3D NAND闪存，目前产品实现稳定量产，并陆续推向市场。2020年4月，长江存储再次发布128层3D NAND闪存，预计将于2020年年底至2021年年初实现量产。该产品已基本追平国际先进水平，其中型号X2-6070产品为业内首款128层QLC（每个存储单元可存储4bit数据），可提供1.33Tb的单颗存储容量，具有当前全球已知型号的产品中最高存储密度、最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。

在技术研发方面，长江存储发布的Xtacking技术架构在2018年全球FMS（闪存峰会）上获得大奖。相比传统的3D NAND闪存架构，Xtacking可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。日前，长江存储已发布Xtacking2.0技术。

当前社会已经进入数字经济时代，人们对存储器的需求持续增加，3D NAND闪存产业前景被长期看好。今年以来，尽管受新冠肺炎疫情的影响，NAND闪存市场依然表现出较强的韧性。根据集邦咨询的报告，2020年第一季度NAND闪存出货量与上季度大致持平，其中服务器供应链的恢复状况优于笔记本电脑及智能手机，第二季度远程服务等应用持续带动数据中心需求。

中国是全球最大的存储器市场。数据显示，在移动通信和计算用SSD领域，中国对NAND的需求占比全球市场份额将从2017年的30%和25%，提升到2021年的50%和30%。中国既有市场需求，也有必要发展存储产业。长江存储一期的良好运营以及二期项目的开工建设为中国存储产业打下了良好的基础。

赵伟国表示：“国家存储器基地项目一期开工建设以来，从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂，实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越。‘雄关漫道真如铁，而今迈步从头越’。我们要增强责任感、紧迫感，知难而进、迎难而上，为集成电路产业发展、为湖北经济社会高质量发展作出新的更大贡献。”