7月6日，三星电子宣布，三星高级技术学院（SAIT）的研究人员与蔚山国家科学技术学院（UNIST）、剑桥大学两家高校合作，发现了一种名为非晶态氮化硼（a-BN）的新材料，此项研究可能加速下一代半导体材料的问世。
三星指出，最近，SAIT一直在研究二维（2D）材料——具有单原子层的晶体材料的研究和开发。具体而言，该研究所一直致力于石墨烯的研究和开发，并在该领域取得了突破性的研究成果，例如开发新的石墨烯晶体管以及生产大面积单晶晶片的新方法。除了研究和开发石墨烯外，SAIT还致力于加速材料的商业化。
“为了增强石墨烯与硅基半导体工艺的兼容性，半导体衬底上的晶圆级石墨烯生长应在低于400℃的温度下进行。”SAIT的石墨烯项目负责人兼首席研究员Shin Hyeon-Jin Shin表示，“我们还在不断努力，将石墨烯的应用范围扩展到半导体以外的领域。”
据称，新发现的材料被称为非晶氮化硼（a-BN），由具有非晶分子结构的硼和氮原子组成。尽管非晶态氮化硼衍生自白色石墨烯，其中包括以六边形结构排列的硼和氮原子，但实际上a-BN的分子结构使其与白色石墨烯具有独特的区别。
非晶氮化硼具有超低介电常数，仅1.78，具有强大的电气和机械性能，可以用作互连隔离材料，以最大程度地减少电干扰。同时也证明了该材料可以在400℃的低温下以晶圆级生长。因此，预计非晶氮化硼将广泛应用于诸如DRAM和NAND解决方案等半导体，尤其是在用于大型服务器的下一代存储器解决方案中。
