随着台积电不断推进7纳米、5纳米、3纳米等先进工艺，业界对其的关注度不断提升。在8月26日举办的2020世界半导体大会期间，台积电（南京）有限公司总经理罗镇球介绍了该公司在先进工艺以及3D封装等技术上的规划布局。
罗镇球表示，台积电在7纳米节点上进行了3个细分节点划分，包括7纳米、7纳米的强化版N7+和6纳米。在这个节点上，台积电的芯片产量非常大，到目前为止已经生产了超过10亿颗芯片，应用领域包括CPU、GPU、通信芯片以及AI。
目前，台积电的5纳米已经进入量产阶段。台积电仍然会采用小步快走的研发模式，在功耗上、性能上、面积上持续不断做提升。5纳米节点也将规划3个细分节点，包括5纳米、5纳米的强化版N5+和4纳米。根据罗镇球的介绍，从5纳米生产的情况来看，它的良率推进远远好于三年前的7纳米。4纳米预计在2021年开始正式批量生产。
随着工艺的持续推进，业界有人担心摩尔定律能不能继续往下走。“目前为止，我们看到3纳米、2纳米、1纳米都没有什么太大问题。台积电在3纳米性能上可以再提升10%~15%，功耗可以再降低25%~30%。预计可以看到3纳米的产品在2022年进入大批量生产阶段。”罗镇球说道。
在先进封装方面，罗镇球认为，先进封装是使摩尔定律持续演进的主要助力。台积电将3D封装分成前段3D封装和后段3D封装。前段3D封装采用SoIC技术，包括CoW即Chip on Wafer封装方式和WoW即Wafer on Wafer的封装方式进行；后段3D封装采用InFO封装和CoWoS封装技术，将不同功能的芯片整合到一个系统级的产品当中，这是非常有效而且成本更低的方式。
