前言
2018年中央经济工作会议首次提出“新型基础设施建设”（下简称“新基建”）这一概念，“新基建”具有新时代的丰富内涵，既符合未来经济社会发展趋势，又适应中国当前社会经济发展阶段和转型需求，在补短板的同时将成为社会经济发展的新引擎。由于传统工艺和Si材料逼近物理极限，技术研发费用剧增，制造节点的更新难度越来越大，“摩尔定律”演进开始放缓，半导体业界纷纷在新型材料和器件上寻求突破。以新原理、新材料、新结构、新工艺为特征的“超越摩尔定律”为产业发展带来新机遇。第三代半导体是“超越摩尔定律”的重要发展内容。与Si材料相比，第三代半导体材料拥有高频、高功率、抗高温、抗高辐射、光电性能优异等特点，特别适合于制造微博射频器件、光电子器件、电力电子器件，是未来半导体产业发展的重要方向。“新基建”一端连接着不断升级的消费市场，另一端连接着飞速发展的科技创新。其中，5G基建、新能源汽车充电桩、特高压及轨道交通四大领域的关键核心都与第三代半导体技术的发展息息相关：以GaN为核心的射频半导体，支撑着5G基站建设；以SiC为核心的功率半导体，支撑着新能源汽车充电桩、特高压以及轨道交通系统的建设。未来，以GaN和SiC为首的第三代半导体将成为支持“新基建”的核心材料。在“新基建”的助力下，国内第三代半导体厂商将迎来巨大的发展机遇。
以下为报告部分内容
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