“高德红外研制的百万像素中波/中波双色二类超晶格制冷红外探测器代表了红外成像技术尖端水平，打破少数国外企业的技术垄断，为我国特色红外技术产业提供坚实的科技支撑，满足我国对于高端制冷红外探测器的需求。”在今年两会期间，高德红外向媒体发布了公司最新取得的成果。而这一成果，也和全国政协委员、高德红外董事长黄立此次的提案相关，即在国家促进集成电路产业高质量发展政策方面，应突出特殊半导体的战略地位，针对不同线宽的特殊半导体给予不同的政策支持。

特殊半导体产业

目前面临三大挑战

集成电路是信息社会的基石，也是信息技术的重要基础。近年来，中国集成电路产业发展取得了骄人成绩，产业规模不断增长。据中国半导体行业测算，2020年我国集成电路销售收入达到8848亿元，增长率为同期全球产业增速的3倍。

黄立表示，相对于硅基集成电路的逻辑运算，特殊半导体作为与外界环境交互的重要手段和感知信息的主要来源，已成为决定未来数字通信、传感互联、人工智能产业发展的核心与“卡脖子”的关键技术。他指出，特殊半导体是多学科的高技术聚合物，涵盖了化合物半导体、功率半导体、传感器件和微机电器件，具有信息采集、信息处理、信息交换、信息存储等多元化功能。特殊半导体的制造工艺和制造条件要求极高，和集成电路有一定的相似度，但更加侧重于工艺的特殊性和复杂性。黄立表示，目前产业水平低的主要问题有几点。首先，核心特殊半导体产品品种数较多，国内仅能生产其中的约1/3，整体技术含量也较低。同时，核心功能性器件市场需求量上万亿元，且逐年上升，每年进口额数千亿元，包括汽车电子或科学仪器等高端特殊半导体95%以上市场份额都掌握在外资企业手里。

其次，核心特殊半导体器件生产制造工艺流程繁琐复杂、产业链较长，企业规模偏小，人才集聚和培养难度大，上下游协同门槛高、成本高，产业发展尚未形成合力。

最后，特殊半导体涉及的技术领域众多、工序复杂。特殊半导体对于光刻线宽的要求相对较低，但是对于工艺、材料的控制更加复杂，被称为“工业艺术品”。例如MEMS传感器，学科涉及电子、机械、材料、制造、物理、化学和生物等多种学科，并集约了当今科学技术发展的许多尖端成果；设计与传统IC行业注重二维静止的电路设计不同，以理论力学为基础，结合电路知识设计三维动态产品；工艺包含更多非标准的定向工艺步骤，如体硅工艺、背面工艺、高温工艺、高深宽比蚀刻等；材料往往会涉及特殊材料，如相变材料、磁致伸缩材料、记忆合金材料等。

针对不同线宽特殊半导体

给予不同政策

针对特殊半导体的“特殊性”，黄立提出如下建议：第一，在国家促进集成电路产业高质量发展的政策中，应突出特殊半导体的战略地位，针对不同线宽的特殊半导体给予不同的政策。如化合物半导体类和MEMS微机电类，线宽小于0.25微米的企业，给予该类企业所得税最高“十免”优惠政策——鼓励符合条件的特殊半导体生产企业或项目，第一年至第十年免征企业所得税。

第二，加快核心技术攻关，针对材料体系和特殊工艺给予相应的配套政策，如针对非硅基的III-V、II-VI化合物半导体，及相关的多元材料外延工艺，给予专项扶持、市场准入、人才认定等持续支持，以弥补产业技术短板与政策缺失，实现传感器产业高质量发展。

第三，培育产业发展新动能。聚焦特殊半导体的工艺复杂性，从产业链出发，加强本土化。发展壮大细分领域的龙头企业，分类培育产业链相关的高端配套骨干企业，形成融通发展的良好局面。

此外，黄立还针对加大知识产权保护力度给出了建议。他表示，国家应进一步完善以知识产权、商业秘密保护为核心的法律法规和运行机制；开展打击侵犯知识产权、商业秘密专项行动；加大对侵犯商业秘密的企业和工作人员的处罚力度，以及加大对知识产权保护的宣传力度。